標準編號 |
標準名稱 |
發(fā)布部門 |
實施日期 |
狀態(tài) |
SJ 50033/100-1995 |
半導體分立器件 2CJ60型階躍恢復二極管詳細規(guī)范 |
中國人民共和國電子工.
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1996-10-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/101-1995 |
GJ1325型半導體激光二極管組件詳細規(guī)范 |
中國人民共和國電子工.
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1996-10-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/58-1995 |
半導體光電子器件 GF413型綠色發(fā)光二極管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/59-1995 |
半導體分立器件 3DK39型功率開關晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/60-1995 |
半導體分立器件 3DK40型功率開關晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/61-1995 |
半導體分立器件 3DK6547型高壓功率開關晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/62-1995 |
半導體分立器件 3DK406型高壓功率開關晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/63-1995 |
半導體分立器件 3CD020型低頻大功率晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/64-1995 |
半導體分立器件 3CD010型低頻大功率晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/65-1995 |
半導體分立器件 3DD175型低頻大功率晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/66-1995 |
半導體分立器件 3DD880型低頻大功率晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/67-1995 |
半導體分立器件 3DD103型高壓低頻大功率晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/68-1995 |
半導體分立器件 BT51型NPN硅小功率差分對晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/69-1995 |
半導體分立器件 PIN30系列PIN二極管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/70-1995 |
半導體分立器件 PIN35系列PIN二極管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/71-1995 |
半導體分立器件 PIN342型PIN二極管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/72-1995 |
半導體分立器件 PIN323型PIN二極管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/73-1995 |
半導體分立器件 QL74型硅單相橋式整流器詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/74-1995 |
半導體分立器件 3DA325型硅微波功率晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/75-1995 |
半導體分立器件 3DG135型硅超高頻小功率晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/76-1995 |
半導體分立器件 3DG218型硅微波低噪聲晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/77-1995 |
半導體分立器件 3DA331型硅微波功率晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/78-1995 |
半導體分立器件 CS0464型砷化鎵微波場效應晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/79-1995 |
半導體分立器件 CS0536型砷化鎵微波功率場效應晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/80-1995 |
半導體分立器件 CS0513型砷化鎵微波功率場效應晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/81-1995 |
半導體分立器件 CS0524型砷化鎵微波功率場效應晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/82-1995 |
半導體分立器件 3DK100型NPN硅小功率開關晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/83-1995 |
半導體分立器件 CS139型硅P溝道MOS增強型場效應晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/84-1995 |
半導體分立器件 CS140型硅N溝道MOS耗盡型場效應晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/85-1995 |
半導體分立器件 CS141型硅N溝道MOS耗盡型場效應晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/86-1995 |
半導體分立器件 CS5114~CS5116型硅P溝道耗盡型場效應晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/87-1995 |
半導體分立器件 CS4091~CS4093型硅N溝道耗盡型場效應晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/88-1995 |
半導體分立器件 CS6760和CS6762型硅N溝道增強型場效應晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/89-1995 |
半導體分立器件 CS6768和CS6770型硅N溝道增強型場效應晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/90-1995 |
半導體分立器件 3DK106型NPN硅小功率開關晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/91-1995 |
半導體分立器件 3CD030型低頻大功率晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/92-1995 |
半導體分立器件 3CD100型低頻大功率晶體管詳細規(guī)范 |
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1995-12-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/93-1995 |
半導體分立器件 3DG142型NPN硅高頻低噪聲小功率晶體管詳細規(guī)范 |
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1996-10-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/94-1995 |
半導體分立器件 3DG143型NPN硅高頻低噪聲小功率晶體管詳細規(guī)范 |
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1996-10-01 |
現(xiàn)行 |
SJ 50033/95-1995 |
半導體分立器件 3DG144型NPN硅高頻低噪聲小功率晶體管詳細規(guī)范 |
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1996-10-01 |
現(xiàn)行 |