鍺單晶和鍺單晶片 |
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| 標(biāo)準(zhǔn)編號：GB/T 5238-2009 |
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：已作廢 |
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| 標(biāo)準(zhǔn)價格：24.0 元 |
客戶評分：  |
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立即購買工即可享受本標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)變更提醒服務(wù)！ |
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本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了鍺單晶和鍺單晶片的要求、試驗方法、檢驗規(guī)則及標(biāo)志、包裝、運輸、貯存、訂貨單(或合同)內(nèi)容。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于制作半導(dǎo)體器件、激光、外延襯底等用的鍺單晶和鍺單晶片。 |
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| 英文名稱： |
Monocrystalline germanium and monocrystalline germanium slices |
| 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)： |
已作廢 |
 替代情況： |
被GB/T 5238-2019代替;替代GB/T 15713-1995,GB/T 5238-1995 |
| 中標(biāo)分類： |
冶金>>有色金屬及其合金產(chǎn)品>>H66稀有分散金屬及其合金 |
| ICS分類： |
冶金>>有色金屬>>77.120.99其他有色金屬及其合金 |
| 發(fā)布部門： |
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 |
| 發(fā)布日期： |
2009-10-30 |
| 實施日期： |
2010-06-01
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| 作廢日期： |
2020-05-01
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| 首發(fā)日期： |
1985-07-22 |
| 提出單位： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 |
| 歸口單位： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會 |
| 主管部門： |
全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會 |
| 起草單位： |
南京鍺廠有限責(zé)任公司 |
| 起草人： |
張莉萍、吳玉麟 |
| 計劃單號： |
20060517-T-469 |
| 頁數(shù)： |
12頁 |
| 出版社： |
中國標(biāo)準(zhǔn)出版社 |
| 出版日期： |
2010-06-01 |
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本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T5238-1995《鍺單晶》和GB/T15713-1995《鍺單晶片》。
本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T5238-1995、GB/T15713-1995相比,主要有如下變動:
---擴(kuò)大了鍺單晶和鍺單晶片的適用范圍;
---刪掉了鍺單晶按電阻率允許偏差分成的三個等級和鍺單晶片中的大圓片及小圓片;
---標(biāo)準(zhǔn)格式按GB/T1.1-2000《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則》的要求進(jìn)行了修改、補(bǔ)充和完善。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)負(fù)責(zé)起草單位:南京鍺廠有限責(zé)任公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:張莉萍、吳玉麟。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:
---GB5238-1985,GB/T5238-1995,GB/T15713-1995。 |
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下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
GB/T1550 非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法
GB/T1552 硅、鍺單晶電阻率測定 直排四探針法
GB/T1553 硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定 光電導(dǎo)衰退法
GB/T2828.1 計數(shù)抽樣檢驗程序 第1部分:按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃(GB/T2828.1-2003,ISO2859-1:1999,IDT)
GB/T5252 鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法
GB/T5254 鍺單晶晶向X 光衍射測定方法 |
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