本標準是對GB/T17473-1998《厚膜微電子技術用貴金屬漿料測試方法》(所有部分)的整合修訂,分為7個部分:
---GB/T17473.1-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 固體含量測定;
---GB/T17473.2-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 細度測定;
---GB/T17473.3-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 方阻測定;
---GB/T17473.4-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 附著力測試;
---GB/T17473.5-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 粘度測定;
---GB/T17473.6-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 分辨率測定;
---GB/T17473.7-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 可焊性、耐焊性測定。
本部分為GB/T17473-2008的第3部分。
本部分代替GB/T17473.3-1998《厚膜微電子技術用貴金屬漿料測試方法 方阻測定》。
本部分與GB/T17473.3-1998相比,主要有如下變動:
---將原標準名稱修改為微電子技術用貴金屬漿料測試方法 方阻測定;
---增加低溫固化型漿料方阻的測定方法;
---原標準的原理中,將漿料用絲網印刷在陶瓷基片,經過燒結后,膜層在一定溫度及其厚度、寬度不變的情況下……修改為:將漿料用絲網印刷在陶瓷基片或有機樹脂基片上,經過燒結或固化后,膜層在一定溫度及厚度、寬度不變的情況下;
---測厚儀修改為:光切顯微測厚儀用于燒結型漿料:范圍為0mm~5 mm,精度為0.001 mm。
千分尺用于固化型漿料:范圍為0mm~5mm,精度為0.001mm。
本部分的附錄A 為規范性附錄。
本部分由中國有色金屬工業協會提出。
本部分由全國有色金屬標準化技術委員會歸口。
本部分由貴研鉑業股份有限公司負責起草。
本部分主要起草人:金勿毀、劉繼松、李文琳、陳伏生、朱武勛、李晉。
本部分所代替標準的歷次版本發布情況為:
---GB/T17473.3-1998。 |
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